Информация о публикации

Просмотр записей
Инд. авторы: Gorobchuk A.G.
Заглавие: Numerical model of plasma-chemical etching of silicon in CF4/H2 plasma
Библ. ссылка: Gorobchuk A.G. Numerical model of plasma-chemical etching of silicon in CF4/H2 plasma // Communications in Computer and Information Science. - 2015. - Vol.549. - P.44-52. - ISSN 1865-0929. - EISSN 1865-0937.
Внешние системы: DOI: 10.1007/978-3-319-25058-8_5; РИНЦ: 26928045;
Реферат: rus: На основе численного моделирования исследуется влияние ВЧ-разряда на процесс травления кремния в смеси тетрафторметана с кислородом в плазмохимическом реакторе. Показано, что понижение средней плотности энергетичных электронов в реакторе, вызванное добавкой кислорода, может снизить скорость травления в пределах до 30.
eng: The effect of RF-discharge on silicon etching process in tetrafluoromethane - oxygen mixture in a plasma-chemical reactor is investigated numerically. It was shown that the decrease of average density of energy electrons in the reactor due to the oxygen inflow can decrease the etching rate by up to 30%.
Ключевые слова: Multicomponent gas mixtures; mathematical modeling; numerical methods; Plasmachemical etching technology;
Издано: 2015
Физ. характеристика: с.44-52
Цитирование: 
1. Grigoryev Yu.N., Gorobchuk A.G. Numerical Simulation of plasma-chemical reactors // Comput. Technol. 2003. Vol. 8. Special Issue. Pt. 2. P. 53-73.
2. Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. Оптимизация состава смеси для травления Si в CF4/O2 // Тр. Междунар. конф. RDAMM-2001. Новосибирск, 2001. Ч. 2. C. 217-224. (Электронная публикация).
3. Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. Особенности интенсификации травления кремния в плазме CF4/O2 // Микроэлектроника. 2007. Т. 36, № 5. (в печати).
4. Mogab C.J., Adams A.C., Flamm D.L. Plasma etching of Si and SiO2 - The effect of oxygen additions to CF4 plasmas // J. of Applied Physics. 1978. Vol. 49, N 7. P. 3796-3803.
5. Coburn J.W., Chen M. Optical emission spectroscopy of reactive plasmas: A method for correlating emission intensities to reactive particle density // J. of Appl. Phys. 1980. Vol. 51, N 6. P. 3134-3136.
6. d`Agostino R., Cramarossa F., De Benedicts S., Ferraro G. Spectroscopic diagnostics of CF4-O2 plasmas during Si and SiO2 etching processes // J. of Appl. Phys. 1980. Vol. 52, N 3. P. 1259-1265.
7. Дерюгин А.А., Словецкий Д.И. Моделирование механизма химических реакций в тлеющем разряде в смесях тетрафторметана с кислородом // Химия высоких энергий. 1983. Т. 17, № 4. С. 358-367.
8. Venkatesan S.P., Trachtenberg I., Edgar T.F. Modeling of silicon etching in CF4/O2 and CF4/H2 plasmas // J. of the Electrochemical Society. 1990. Vol. 137, N 7. P. 2280-2290.
9. Plumb I.C., Ryan K.R. A model of the chemical processes occurring in CF4/O2 discharges used in plasma etching // Plasma Chemistry and Plasma Processing. 1986. Vol. 6, N 3. P. 205-230.
10. Park Syng-Kyu, Economou D.J. A mathematical model for etching of silicon using CF4 in radial flow plasma reactor // J. of the Electrochemical society. 1991. Vol. 138, N 5. P. 1499-1508.
11. Schoenborn Ph., Patrick R., Baltes H.P. Numerical simulation of a CF4/O2 plasma and correlation with spectroscopic and etch rate data // J. of the Electrochemical Society. 1989. Vol. 136, N 1. P. 199-205.
12. Kopalidis P.M., Jorine J. Modeling and experimental studies of a reactive ion etcher using SF6/O2 chemistry // J. of the Electrochemical society. 1993. Vol. 140, N 10. P. 3037-3045.
13. Ферцигер Дж., Капер К. Математическая теория процессов переноса в газах. М.: Мир, 1976.
14. Reid R.C., Prausnitz J.M., Poling B.E. The Properties of Gases and Liquids. N.Y.: McGraw-Hill, Inc. 1986.
15. Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. Численная оптимизация планарных реакторов индивидуального плазмохимического травления // Поверхность. 1996. № 2. С. 47-63.
16. Dalvie M., Jensen K.F., Graves D.B. Modelling of reactors for plasma processing. I. Silicon etching by CF4 in radial flow reactor // Chemical Engineering Sci. 1986. Vol. 41. P. 653-660.