| Инд. авторы: | Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. |
| Заглавие: | Моделирование процесса полимеризации поверхности кремния при плазмохимическом травлении в CF4/H2 |
| Библ. ссылка: | Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. Моделирование процесса полимеризации поверхности кремния при плазмохимическом травлении в CF4/H2 // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2015. - № 2. - С.81-86. - ISSN 0207-3528. |
| Внешние системы: | DOI: 10.7868/S0207352815020110; РИНЦ: 22887629; |
| Реферат: | rus: полностью покрывает поверхность образца, что прекращает процесс травления. льшая часть атомарного фтора идет на формирование соединения HF, существенно понижая скорость травления кремния. Среди конкурирующих процессов пассивации поверхности кремния в качестве преобладающего выделена адсорбция радикала CF2, слой которого при содержании 40% H2 полностью покрывает поверхность образца, что прекращает процесс травления. |
| Издано: | 2015 |
| Физ. характеристика: | с.81-86 |
| Цитирование: | 1. Grigoryev Yu.N., Gorobchuk A.G. // Micro Electronic and Mechanical Systems. Croatia: InTech, 2009. P. 514. 2. Venkatesan S.P., Trachtenberg I., Edgar T.F. // J. Electrochem. Soc. 1990. V. 137. № 7. P. 2280. 3. Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. № 6. С. 454. 4. Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 5. С. 368. 5. Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 1996. № 2. С. 47. 6. Григорьев Ю.Н., Горобчук А.Г. // Микроэлектроника. 1998. Т. 27. № 4. С. 294. |
